產(chǎn)品介紹
設(shè)備采用公司自主可控的氣體分配系統(tǒng)技術(shù)，支持片狀加熱或鎢絲加熱，基底表面工作溫度可達1200℃以上。同時采用先進的反應(yīng)腔與控制系統(tǒng)，在8英寸大尺寸基底上實現(xiàn)優(yōu)異的膜厚與波長均勻性（±1%以內(nèi)）。采用MO源與反應(yīng)腔氣體分離輸送的技術(shù)，便于將來升級換代；關(guān)鍵組件均為自主設(shè)計、國內(nèi)生產(chǎn)制造，維護保養(yǎng)成本低。設(shè)備可選在線紅外測溫系統(tǒng)與機械手自動取放系統(tǒng)，減少薄膜生長過程的人為因素干擾。該設(shè)備具有薄膜質(zhì)量高、自動化程度高、升降溫速率快等優(yōu)點，科研院所及企業(yè)研發(fā)的理想產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域：2D電子材料WS2，MoS2，藍光LED、綠光LED、半導體激光器、半導體探測器等化合物半導體材料。

產(chǎn)品特點：

* 極高氣體流程均勻性和重復性
* 基底表面工作溫度可達1200℃以上
* 可實現(xiàn)高速、高質(zhì)量WS2,MoS2,GaN,SiC等材料生長